Elektronenmikroskop mit Auflösung im Sub-Angström-Bereich

Wissenschaftler von IBM und Nion haben ein Elektronenmikroskop soweit verbessert, dass es eine Auflösung von weniger als 0,1 Nanometern erzielt. Mit dem Mikroskop lassen sich erstmals Fehlstellen und Dotierungen in Halbleitern in atomarer Auflösung abbilden. Die Wissenschaftler, die computergesteuerte magnetische Korrekturlinsen und ein spezielles Software-Verfahren verwenden, beschreiben ihre Arbeit in der aktuellen Ausgabe des Wissenschaftsmagazins Nature (Vol. 418, 8. August 2002, S. 617).

In herkömmlichen Elektronenmikroskopen wird die theoretisch mögliche Auflösung nicht durch die Wellenlänge der Elektronen — das heißt durch Beugungseffekte — bestimmt, sondern durch Linsenfehler. Die Wissenschaftler korrigierten diese magnetischen Linsenfehler mit Hilfe von computergesteuerten Stromquellen für Korrekturmagnete. Auf diese Weise konnten sie den Strahl des Rastertransmissions-Elektronenmikroskops auf einen Durchmesser von unter 0,1 Nanometer bringen.

Quelle: http://www.heise.de und www.nature.com